技术简介： 本发明涉及纳米复合材料技术领域,尤其涉及一种多层纳米帽-星耦合周期性阵列及其制备方法,包括贵金属-氧化物双层基底以及生长在其表面的纳米贵金属周期阵列,所述贵金属选自Au、Ag、Pd和Pt中的一…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了量子光制备用PPKTP晶体的定位与温控装置及方法。通过PID算法或人工调控帕尔帖电流开关来控制PPKTP晶体温度,有较大滞后性和误差。本发明的磁悬浮系统对PPKTP晶体进行定位,避免PPKTP…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种波浪形ITO透明电极及有机太阳能电池,所述波浪形ITO透明电极由下到上依次包括衬底和波浪形ITO导电膜；所述波浪形ITO导电膜的截面为由若干个曲线单元构…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于存储设备技术领域,具体涉及一种高集成度相变存储器阵列结构,包括单元；单元包括芯骨,芯骨的相对两面或周向四面向外依次设置有相变材料层、沟道层、多晶硅层、门电极；数个单元通过三…… 查看详细 >
技术简介： 课题来源与背景：当电动车被非遥控器持有者推车或骑行时“转轮报警”功能产生作用，该项功能的设置对车辆防盗具有极大的现实意义，国内相关产品同时包含“静音”、“振动”、“电门锁”、“转轮…… 查看详细 >
基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge的制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge的制作方法,其实现步骤为：1.对GeOI晶圆进行清洗,并进行He离子注入;2.在离子注入后的GeOI晶圆顶层Ge层上淀积1GPa…… 查看详细 >
技术简介： 一种超结LDMOS器件,属于半导体功率器件领域。本发明在传统超结LDMOS器件的P型衬底中嵌入均匀分布的N+岛,并在有源区和衬底之间加入一层P型电场屏蔽埋层。其中N+岛（2）能通过增强体内电场来提高…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于半导体技术,具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为：在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层;在第一导电类型半导体有源…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种JFET器件及其制造方法。本发明的JFET器件,其特征在于,所述P+栅极区1的结深为不均匀的,从靠近N+漏极区2的一端到靠近N+源极区3的一端P+栅极区1的结深逐渐…… 查看详细 >
技术简介： ZJ8008D型防盗防火报警系统，是采用现代先进的红外被动遥感技术和数字电路技术相结合的报警装置。是当今防盗防火领域中最新产品，具有防盗防火的双重功能。该系统由遥感发射头和多路接收报警机…… 查看详细 >
技术简介： 该实用新型涉及一种制备球状纳米晶镍铁镀层的电沉积装置，属金属电镀工艺技术领域。该实用新型电沉积装置主要包括进气玻璃管、石英玻璃电解槽、阳极、阴极、保温套筒、加热元件、超导磁体、水冷…… 查看详细 >
技术简介： 项目简介：发动机自动启动控制装置，包括电源稳压单元（1）、转速调理单元（2）、启动次数控制单元（3）、启动时间控制单元（4）、启动时间协调单元（5）、驱动单元（6）、执行与指示单元（7）…… 查看详细 >