[01341042]基于c面Al2O3衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管
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技术详细介绍
本发明公开了一种基于c面Al2O3衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管,主要解决现有LED结构复杂,工艺周期长的问题。其包括：c面Al2O3衬底层、AlN成核层、发光层和电极,其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000-23000的高AlN圆环和Ⅴ/Ⅲ比为800-1200的低AlN圆环相间组成,发光层为一层c面Ⅲ族氮化物层,由N面圆环和金属面圆环相间组成。该Ⅲ族氮化物层采用圆环结构增加反型畴的密度;该III族氮化物层采用GaN或AlN或AlGaN,分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明相比于传统LED,器件结构和制作流程简单,工艺周期缩短,可用于照明,显示屏和背光源。