[01403151]高TCR吸收敏感复合薄膜的THz探测结构及制备方法
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所属行业:
其他电气自动化
类型:
非专利
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技术详细介绍
本发明公开了一种基于碳纳米管和高TCR细胞色素C复合的吸收敏感复合薄膜的THz探测结构制备方法。该吸收敏感复合薄膜制备在太赫兹探测结构的顶层。该复合薄膜利用了碳纳米管的特殊光学性质,能显著增强探测结构对THz波段辐射的吸收效率。同时因为细胞色素C具有很高的TCR,与非晶硅,氧化钒,金属钛,钇钡铜氧化物等常用热敏材料相比,细胞色素C具有更高的TCR值,其TCR为20%/K~38%/K,使该复合薄膜具有优异的热敏性能。因此该复合薄膜同时具有吸收层和敏感层的功能,能大大提高探测器的灵敏度和加快响应时间,提高了太赫兹探测器的探测性能。
本发明公开了一种基于碳纳米管和高TCR细胞色素C复合的吸收敏感复合薄膜的THz探测结构制备方法。该吸收敏感复合薄膜制备在太赫兹探测结构的顶层。该复合薄膜利用了碳纳米管的特殊光学性质,能显著增强探测结构对THz波段辐射的吸收效率。同时因为细胞色素C具有很高的TCR,与非晶硅,氧化钒,金属钛,钇钡铜氧化物等常用热敏材料相比,细胞色素C具有更高的TCR值,其TCR为20%/K~38%/K,使该复合薄膜具有优异的热敏性能。因此该复合薄膜同时具有吸收层和敏感层的功能,能大大提高探测器的灵敏度和加快响应时间,提高了太赫兹探测器的探测性能。