[01402513]横向高压器件及其制造方法
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技术详细介绍
本发明提供一种横向高压器件及其制备方法,器件的元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、第二导电类型半导体漂移区,第二导电类型半导体漂移区自下而上依次层叠设置多个第二导电类型半导体子漂移区,方法为：采用外延工艺依次形成第二导电类型半导体子漂移区,在第二导电类型半导体子漂移区中注入形成第一导电类型半导体降场层、第二导电类型半导体重掺杂层和第一导电类型半导体体区,本发明是将传统的漂移区结构制作为多层漂移区叠加构成漂移区的结构,这样每个子漂移区都有一条低阻的最近导电路径,可以降低器件的导通电阻;关态时,每个漂移区内的降场层辅助耗尽漂移区,从而提高器件的击穿电压,缓解比导通电阻和耐压的矛盾关系。