技术简介： 本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种恒流JFET器件及其制造方法。本发明的恒流JFET器件,其特征在于所述P+表面栅极区5和P+背面栅极区2的结深为不均匀的,从靠近N+漏极区6的一端到靠近N+源极区…… 查看详细 >
技术简介： 项目研究的背景及用途：随着国内汽车保有量的增加，汽车被盗案件呈上升趋势。如何提高汽车的防盗性能，保证车辆财产安全，一些厂商陆续推出了一些汽车防盗产品。主要有机械式和电子式汽车防盗产…… 查看详细 >
基于SiC衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件及制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于SiC衬底的AlGaN基uv-LED器件及其制作方法,它涉及到微电子技术领域。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层（2）、高温AlN成核层（3）、本征AlGaN外延层（4）、n-AlGaN势垒层…… 查看详细 >
技术简介： 本成果采用电感耦合等离子体化学气相薄膜沉积系统制备多晶硅薄膜太阳电池,采用的器件结构为“Glass/ITO/p-Si：H（150nm）/i-Si：H（1um）/n-Si：H（200nm）/ZnO：Al”（1cm×1cm）,在标准太阳光…… 查看详细 >
技术简介： 近几年,随着MEMS的发展和应用,工业领域对微型零件的需求越来越大。微型零件的结构尺寸微小,重量极轻,因此很难用普通加工方法对其加工成形。微细电火花加工是微细加工技术的一种,该技术可以加工…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种无膜的直接肼燃料电池及其制造方法,本发明的主要内容包括：（1）首先,用硼氢化钠还原剂将硝酸银和硝酸镍还原,制备多壁碳纳米管负载的AgNi纳米催化剂颗粒（AgNi/MWCNT）;（2）将…… 查看详细 >
技术简介： 1．利用多极板赝火花放电室在充低压气体时，外加10－50kV直流电压条件下，能按巴申放电曲线产生重复性的纳秒高功率脉冲电子束和离子束。利用该脉冲粒子束，开展了加速器技术、等离子体物理、纳…… 查看详细 >
技术简介： 本发明基于石墨烯电极和钙钛矿吸光层的自驱动光电探测器及其制备方法,所述方法包括步骤1,将清洗干燥后的导电玻璃基底刻蚀为分隔的两部分,分别为第一导电玻璃电极和第二导电玻璃电极;步骤2,在导…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种采用透明低电阻率ZnO作栅和源、漏电极的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法,它涉及到微电子技术领域,主要解决现有AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管不能应用于全透明领域,及现…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种索牵引平动被动晶振减振装置,包括作为机架的周边支座、设在周边支座上的索调节机构Ⅰ,以及通过牵引索连接索调节机构Ⅰ与被保护的减振平台,通过索调节机构Ⅰ对牵引索的索长进行…… 查看详细 >
技术简介： 应用领域：陶瓷光固化增材制造技术主要用于高精度、复杂结构特种陶瓷(如氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、生物陶瓷等)的定制化、小批量制备。该技术可广泛用于航空航天、汽车、生物医疗等领域。成果简介…… 查看详细 >
技术简介： 一种高压限流熔断器的熔体结构,包括金属熔体,在金属熔体的两端分别敷设有一层或一层以上的与金属熔体不同材料的金属涂层。由于本发明在金属熔体的两端敷设有一层或一层以上的不同材料的金属敷层…… 查看详细 >