[01410390]一种太赫兹探测阵列的片级封装结构
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面议
所属行业:
其他电气自动化
类型:
非专利
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技术详细介绍
本发明属于室温太赫兹探测阵列成像技术领域,提供一种太赫兹探测阵列的片级封装结构,用以解决探测阵列对太赫兹辐射的吸收率低,探测阵列封装结构复杂、成本高、体积大、达不到便携式的要求等问题。本发明封装结构包括从上至下共四部分:依次为封装窗口、太赫兹探测阵列、信号读出电路、硅衬底;所述封装窗口下表面中心开设有向内腐蚀的凹槽,其深度范围为10μm~500μm,并确保太赫兹探测阵列顶端与凹槽底部间距为太赫兹辐射波长的二分之一。通过该结构使太赫兹波在太赫兹探测阵列和凹槽底部之间发生多次反射,促进了探测阵列对太赫兹的吸收,提高了探测单元的响应率,同时使结构简单化,有效缩小封装尺寸、降低生产成本。
本发明属于室温太赫兹探测阵列成像技术领域,提供一种太赫兹探测阵列的片级封装结构,用以解决探测阵列对太赫兹辐射的吸收率低,探测阵列封装结构复杂、成本高、体积大、达不到便携式的要求等问题。本发明封装结构包括从上至下共四部分:依次为封装窗口、太赫兹探测阵列、信号读出电路、硅衬底;所述封装窗口下表面中心开设有向内腐蚀的凹槽,其深度范围为10μm~500μm,并确保太赫兹探测阵列顶端与凹槽底部间距为太赫兹辐射波长的二分之一。通过该结构使太赫兹波在太赫兹探测阵列和凹槽底部之间发生多次反射,促进了探测阵列对太赫兹的吸收,提高了探测单元的响应率,同时使结构简单化,有效缩小封装尺寸、降低生产成本。