[01622986]一种三基色垂直结构微型LED芯片制造与转印方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种三基色垂直结构微型LED芯片制造与转印方法,本发明经过微透镜阵列将高功率的单束激光分成多束低功率光束,利用空间光调制器对各个光束能量分布进行整形,实现高效率并行加工。同时通过激光加工的热效应以及形状记忆聚合物图章对微型LED进行转印,实现三基色微型LED芯片集成制造。该发明相比于用普通串行激光转印的方法,提高加工效率,提出一种面向高分辨率显示的三基色微型LED芯片集成制造方法。发明中采用的网格化铜衬底的方法,省去了激光切割这一步骤,减少激光切割工艺上对芯片面积的损耗,缓解外延与衬底的残余压应力,提高芯片制造的良品率,同时Ag/TiW/Pt反射层抑制了纯Ag在高温退火过程中团簇现象的发生,提高了芯片的出光效率。