技术简介： 本发明提供一种横向高压器件及其制备方法,器件的元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、第二导电类型半导体漂移区,第二导电类型半导体漂移区自下而上依次层叠设置多个第二导电类型半导体子漂移区…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于碳纳米管和高TCR细胞色素C复合的吸收敏感复合薄膜的THz探测结构制备方法。该吸收敏感复合薄膜制备在太赫兹探测结构的顶层。该复合薄膜利用了碳纳米管的特殊光学性质,能显著…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于室温太赫兹探测阵列成像技术领域,提供一种太赫兹探测阵列的片级封装结构,用以解决探测阵列对太赫兹辐射的吸收率低,探测阵列封装结构复杂、成本高、体积大、达不到便携式的要求等问题…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种三维量子阱CMOS集成器件及其制作方法,它涉及微电子技术领域,主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是采用SSOI和SSGOI衬底构建新的三维集成器件的两个有源层。其中,下层…… 查看详细 >
技术简介： 在半导体异质结制备过程中,很难避免缺陷态的生成。为了提高异质结的性能,通常采用各种方法降低缺陷态的影响。但是在光致/电致发光谱中,缺陷态却具有重要的意义。如果可以通过调控制备条件,有效…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法,该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘栅极、钝化层、源场板、漏场板和保护层,所述的源场板与源极…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于超级结的碳化硅MOSFET器件制作方法,包括如下步骤：（1）在N+碳化硅衬底的正面上外延生长厚度为10μm、氮离子掺杂浓度为5×1015~1×1016cm3的N外延层,其外延生长温度为1600℃,压力100mbar,…… 查看详细 >
技术简介： 该电机系列保护器分３种型号：ＷＤＢ－Ｉ型电机保护器由电流采样电路得到电机的工作电流，然后经过逻辑分析、电流比较电路，控制电子开关，实现对电机的过流和断相保护；ＷＤＢ－Ⅱ型和ＷＤＢ－…… 查看详细 >
技术简介： 设备状态监测与故障诊断技术是一种了解和掌握设备在使用过程中的状态，确定其整体或局部是否异常，并早期发现故障及其原因，预报故障发展趋势，及时提出处理办法，以使设备受到最佳保护的技术，…… 查看详细 >
技术简介： 项目名称：电机绕组匝间短路与典型机械故障监测与诊断技术电机绕组匝间短路包括转子绕组匝间短路和定子绕组匝间短路；典型机械故障包括气隙偏心、质量不平衡、轴系不对中等。这些故障诱发频率高…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种虾线自动去除装置。人工去除虾线劳动强度高、效率低。本实用新型包括构架、锥齿轮传动机构、进虾机构和虾线去除机构;虾线去除机构包括主轴、承载转盘、可调式夹具、端面凸…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种用于2.5维集成电路封装的柔性互连弹片及集成电路封装结构,本发明弹片包括倾斜式接触面、承重曲面及底座,所述的底座呈水平状,倾斜式接触面、承重曲面及底座三者一体成型,倾斜式…… 查看详细 >