[01375783]全色堆栈式倒装RGB Micro-LED芯片阵列及其制备方法
                
                    
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                        类型:
                        非专利
                    
                    
                    
                    
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                        联系人:
                    
                    
                    
                                        所在地:
                    
                    
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                        - 
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 对所交付的所有资料进行保密 
                         
                        - 如实描述
 
                        
                    
                 
             
            
            
         
        
            
                
技术详细介绍
            
            本发明提供一种全色堆栈式倒装RGBMicro-LED芯片阵列及其制备方法,包括衬底和在衬底上外延生长的蓝、绿光LED外延层,以及在蓝、绿光LED外延层上继续生长的红光LED外延层;然后通过刻蚀和沉积技术在所述外延层上分别制作红光、绿光和蓝光Micro-LED电极,并采用金属互连线将各个Micro-LED相连形成可独立寻址、高集成度的RGBMicro-LED阵列。本发明显著提高Micro-LED显示屏的分辨率,同时也省去了传统RGBMicro-LED制作过程中巨量转移这一步骤,避免了转移率低、一致性差等问题。
            
                本发明提供一种全色堆栈式倒装RGBMicro-LED芯片阵列及其制备方法,包括衬底和在衬底上外延生长的蓝、绿光LED外延层,以及在蓝、绿光LED外延层上继续生长的红光LED外延层;然后通过刻蚀和沉积技术在所述外延层上分别制作红光、绿光和蓝光Micro-LED电极,并采用金属互连线将各个Micro-LED相连形成可独立寻址、高集成度的RGBMicro-LED阵列。本发明显著提高Micro-LED显示屏的分辨率,同时也省去了传统RGBMicro-LED制作过程中巨量转移这一步骤,避免了转移率低、一致性差等问题。