技术简介： 本发明公开了一种红外焦平面阵列的行选通电路,包括行选控制信号发生器及其控制连接的分别位于每个像素单元（Rs）两端、各自对应的二个选通开关,其特征在于：红外焦平面阵列每列中第2K和2K＋1个…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种超薄金属膜太赫兹吸收层及其制备方法，该吸收层制备在太赫兹探测器敏感单元的顶层。所述超薄金属膜通过刻蚀减薄较大厚度的金属薄膜制备，在刻蚀减薄过程中调节工艺参数与刻蚀剂…… 查看详细 >
技术简介： 一种具有结型场板的功率LDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在常规LDMOS器件的衬底中形成与衬底掺杂类型相反的埋层，在器件漂移区表面形成由PN结构成的结型场板。本发明利用结型场板…… 查看详细 >
技术简介： 铋层状结构化合物是一类重要的铁电、压电材料,由于特殊的结构,使得其具有高的居里温度、大的自发极化、低的介电损耗、高的温度稳定性以及好的抗疲劳特性等优点,因此该体系材料非常适合于制作铁…… 查看详细 >
技术简介： 一种NiTiO3薄膜的制备方法,将六水硝酸镍加入乙醇得溶液记为A;向A溶液中加入钛酸四丁酯、草酸、水和乙酰丙酮得溶液记为B,将经过活化处理的硅基板放入B溶液中;将B溶液放入紫外光一微波仪中照射一…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种静电成形薄膜反射面与桁架横杆的连接机构，包括竖直部分和水平部分均沿其纵向开设有一条一字槽的L形折弯件;L形折弯件的水平部分上通过紧固螺栓连接有两个U型口相对的U型夹具;L…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种垂直型半导体器件结构及制作方法。主要解决宽禁带半导体材料、器件高缺陷密度及大功率器件散热的问题。采用立体形三维纳米结构，包括衬底、垂直单晶、外延层、金属层、介质层，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种槽栅型栅-漏复合场板高电子迁移率晶体管，该器件自下而上包括衬底（1）、过渡层（2）、势垒层（3）、源极（4）、漏极（5）、槽栅（7）、钝化层（8）、栅场板（9）、漏场板（11…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种阶梯电流阻挡层垂直型功率器件，主要解决现有同类器击穿电压低与导通电阻大的问题。其包括：衬底（1）、漂移层（2）、孔径层（3）、左右两个对称的多级阶梯结构电流阻挡层（4）…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种凹槽绝缘栅型复合源场板的异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘介质层、绝缘槽栅、钝化层、源场板和保护层。势垒层上开有凹槽，绝缘…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种溶液方法制备的有机小分子空穴注入层。采用有机小分子空穴注入材料及其与其他有机功能材料的混合溶液，通过湿法成膜工艺制备厚度为10～200nm的有机薄膜。本发明还公开具这种溶液…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于室温太赫兹探测阵列成像技术领域,提供一种太赫兹探测阵列的片级封装结构,用以解决探测阵列对太赫兹辐射的吸收率低,探测阵列封装结构复杂、成本高、体积大、达不到便携式的要求等问题…… 查看详细 >