[01300556]一种具有结型场板的功率LDMOS器件
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技术详细介绍
一种具有结型场板的功率LDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。
本发明在常规LDMOS器件的衬底中形成与衬底掺杂类型相反的埋层，在器件漂移区表面形成由PN结构成的结型场板。
本发明利用结型场板中PN结电场分布调制器件表面电场，使器件表面电场分布更加均匀，能有效避免金属场板末端电场尖峰的不足，提高器件的击穿特性。
反向阻断状态下，结型场板对漂移区有辅助耗尽作用，能大幅提高漂移区掺杂水平，降低器件导通电阻。
同时，结型场板中PN结反向偏置时反向电流小，有利降低场板中的泄漏电流，衬底中的埋层能有效提高器件耐压特性。
本发明的器件具有高压、低功耗、低成本与易集成的特点，适用于功率集成电路与射频功率集成电路。