[01307448]垂直型宽禁带半导体器件结构及制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种垂直型半导体器件结构及制作方法。
主要解决宽禁带半导体材料、器件高缺陷密度及大功率器件散热的问题。
采用立体形三维纳米结构，包括衬底、垂直单晶、外延层、金属层、介质层，其中垂直单晶与衬底表面垂直，外延层与垂直单晶平行，金属层平行于衬底的表面，且至少有一层，介质层平行于各金属层之间，进行绝缘隔离，金属层与外延层的界面构成欧姆接触或整流接触，在金属层面上连接外引线。
通过在衬底上生长垂直单晶，在该垂直单晶的表面外延多层外延材料，并在衬底上淀积金属层形成欧姆接触和整流接触，在各金属层上引出源极、栅极、漏极外引线。
本发明散热能力强、电性能高，可用于大功率器件和微波功率器件的制作。