技术简介： 本发明公开了一种静电成形薄膜反射面与桁架横杆的连接机构，包括竖直部分和水平部分均沿其纵向开设有一条一字槽的L形折弯件;L形折弯件的水平部分上通过紧固螺栓连接有两个U型口相对的U型夹具;L…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种用于场发射显示器的大面积碳纳米管薄膜阴极的制备方法,包括：衬底和碳纳米管的预处理、阴极导电图形的形成、涂敷粘结剂、碳纳米管气溶胶（或其他形式的分散相）的形成与喷射、…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种槽型半导体功率器件,涉及槽型半导体功率器件技术领域,包括衬底层和有源层,所述有源层中形成有槽栅,槽栅纵向至少伸入到有源层中;在体接触区和漏区之间形成有阶梯型的介质槽,阶梯…… 查看详细 >
技术简介： 一种双栅功率MOSFET器件,属于半导体功率器件技术领域。本发明在普通双栅LDMOS器件的基础上,通过将与漏极金属相连的漏极接触区向有源层下方延伸,形成纵向漏极接触区（12a）,并在有源层和衬底之间…… 查看详细 >
技术简介： 异质结是半导体器件的重要组成部分,科学家对此进行了大量的研究,硅基CdS异质结是其中重要的一个研究方向。随着社会经济的发展,为实现不同的功能和需求,对半导体器件的尺寸提出了更高的要求。科…… 查看详细 >
技术简介： 近年来国内对低速走丝电火花线切割机的需求在逐年增加，年销量已从2000年的200多台增加到2005年的约2000台，但目前国内企业仅能生产一些中低档机床，高档机床全部需要依赖进口。与国外高档次机…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种用于杂化太阳电池的类钙钛矿敏化光阳极的制备方法，所述制备方法如下：首先在透明导电基板上制备由宽禁带半导体氧化物纳米材料构成的亚微米厚薄膜，然后用离子交换法在薄膜中沉积…… 查看详细 >
技术简介： 一种NiTiO3薄膜的制备方法,将六水硝酸镍加入乙醇得溶液记为A;向A溶液中加入钛酸四丁酯、草酸、水和乙酰丙酮得溶液记为B,将经过活化处理的硅基板放入B溶液中;将B溶液放入紫外光一微波仪中照射一…… 查看详细 >
技术简介： 本发明一种具有石墨烯阻挡层的钙钛矿电池及制备方法,所述方法包括如下步骤,步骤1,在清洗后的衬底上依次制备电子传输层、钙钛矿吸收层和空穴传输层,得到钙钛矿电池基体;步骤2,在CVD法制备的石墨…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法。其实现步骤是：1)在清洗后的SOI晶圆顶层Si层上淀积SiO2层;2)对顶层Si层进行离子注入形成非晶化层,并去除非晶化层上的SiO2…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及微电子器件制造领域,公开了一种垂直围栅MOSFET器件及其制造方法。该垂直围栅MOSFET器件,包括：半导体衬底,垂直设置在半导体衬底上的圆柱形的沟道区,沟道区的圆柱形外设置有截面为槽形…… 查看详细 >
全色堆栈式倒装RGB Micro-LED芯片阵列及其制备方法
技术简介： 本发明提供一种全色堆栈式倒装RGBMicro-LED芯片阵列及其制备方法,包括衬底和在衬底上外延生长的蓝、绿光LED外延层,以及在蓝、绿光LED外延层上继续生长的红光LED外延层;然后通过刻蚀和沉积技术在…… 查看详细 >