[01115680]一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法
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技术详细介绍
一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法,属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一衬底上集成了高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件,各器件制作于P型衬底表面的P型外延层中,并通过P型外延层实现自隔离;在高压器件下方的P型衬底和P型外延层之间具有N型埋层,在低压器件下方的两侧P型外延层可有（或没有）N型埋层。本发明通过引入N型埋层实现相同击穿电压下可以使用更低电阻率的硅片作为衬底,避免了采用区熔FZ法制造的单晶硅片带来的芯片制造成本的增加,从而降低了芯片的制造成本。