技术详细介绍
本公开揭示了一种微米级半导体传感器及其制备方法。
本公开所述的微米级半导体传感器采用三电极结构，将硅板刻蚀到设计的形状之后，对收集电极内表面以及提取电极两面进行Ti/Ni/Au膜的镀膜加工，放电阴极表面直接采取ICP刻蚀工艺，加工出微米级硅柱体，在硅柱体表面镀膜，形成微米级金属电极，起放电作用。所述纳米级传感器制备方法包括如下步骤在硅板上涂光刻胶，在光刻胶上覆盖掩膜版，曝光，去除掩膜版，显影，得到曝光完成的硅板；采用刻蚀剂对得到的硅板进行刻蚀，然后去除光刻胶；再在光刻硅板表面镀金属膜，即得。本公开的微米级半导体传感器电极的制备方法加工精度高，而且该方法加工效率高，适合于大规模生产。
本公开所述的微米级半导体传感器采用三电极结构，将硅板刻蚀到设计的形状之后，对收集电极内表面以及提取电极两面进行Ti/Ni/Au膜的镀膜加工，放电阴极表面直接采取ICP刻蚀工艺，加工出微米级硅柱体，在硅柱体表面镀膜，形成微米级金属电极，起放电作用。所述纳米级传感器制备方法包括如下步骤在硅板上涂光刻胶，在光刻胶上覆盖掩膜版，曝光，去除掩膜版，显影，得到曝光完成的硅板；采用刻蚀剂对得到的硅板进行刻蚀，然后去除光刻胶；再在光刻硅板表面镀金属膜，即得。本公开的微米级半导体传感器电极的制备方法加工精度高，而且该方法加工效率高，适合于大规模生产。