[00141783]聚噻吩薄膜场效应晶体管及其制作方法
交易价格：
面议
所属行业：
自动化元件
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：201210457515.5
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及电子导电材料的制作领域，尤其是聚噻吩薄膜场效应晶体管的制作方法，聚噻吩薄膜场效应晶体管包括栅电极、绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述有源层包括聚噻吩薄膜，在所述聚噻吩薄膜与源电极、漏电极的连接部加入具有导电性质的掺杂剂。本发明还提供这种聚噻吩薄膜场效应晶体管结构。本发明的聚噻吩薄膜场效应晶体管能提高聚噻吩薄膜的导电性能，提高载流子注入效率，从而改善聚噻吩与金属源、漏电极功函数匹配的问题。
本发明涉及电子导电材料的制作领域，尤其是聚噻吩薄膜场效应晶体管的制作方法，聚噻吩薄膜场效应晶体管包括栅电极、绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述有源层包括聚噻吩薄膜，在所述聚噻吩薄膜与源电极、漏电极的连接部加入具有导电性质的掺杂剂。本发明还提供这种聚噻吩薄膜场效应晶体管结构。本发明的聚噻吩薄膜场效应晶体管能提高聚噻吩薄膜的导电性能，提高载流子注入效率，从而改善聚噻吩与金属源、漏电极功函数匹配的问题。
