技术简介： 一、项目简介“中国制造2025”发展规划的启动促使智能制造成为生产制造企业的主旋律，而工业机器人作为智能制造的重要柔性制造单元，迎来了广阔的行业发展机遇。福建省出台的《福建省实施行动计…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法包括以下步骤步骤S1在基板上沉积TFT驱动电路与阳极层；步骤S2配制具有疏水性材料的墨水；步骤S3在TFT基板上沉积一层图案化的疏水…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开一种基于阻变材料的三端全控型开关元件，包括阳极、阴极、门极三个连接端及阻变薄膜，阳极和阴极位于同一平面；门极与阳极/阴极处于不同的平面，他们之间使用阻变薄膜隔离，在…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种低功耗氧化物线状忆阻器及实现其电子突触功能的方法，该氧化物线状忆阻器包括：衬底；第一端电极，设置于衬底上，并与衬底形成良好电接触；氧化物线状介质，设置于第一端电…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种Ag掺杂立方相Ca2Si热电材料，其是将Ca粉、Si粉和Ag粉在Ar气保护气氛下混合均匀后，将所得混合物粉末与研磨钢球在Ar气保护气氛中放入真空不锈钢球磨罐中密封，经球磨反应…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种基于全刮涂技术制备量子点发光二极管的方法，通过在透明导电基底上依次刮涂空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极层制备得到量子点发光二极管，同时改变…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种横向PIN结构Ge量子点近红外探测器及其制作方法，该探测器包括衬底和设于衬底上的多层Ge量子点，多层Ge量子点上光刻有p+叉指注入区和n+叉指注入区，两叉指注入区均包括间隔…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供了一种基于量子点材料的类SED结构，具体结构包括上下基片、荧光粉、阴极电极、栅极电极、阳极电极和量子点材料层。其中量子点材料层均匀分布在阴极电极和栅极电极之间，施加电…… 查看详细 >
技术简介： 侵入高速铁路线路的异物会对高速列车运行安全构成极大威胁，为此北京交通大学研制开发了基于激光扫描与立体机器视觉的高速铁路净空安全在线监测装置。该装置能够全天候实现线路净空的非接触式安…… 查看详细 >
技术简介： 鉴于现在TCN网络设备的核心技术大都被外国大公司垄断，开发成本高，后期升级维护困难的状况，我们自行开发TCN底层核心技术研制出符合IEC61375-1国际标准的MVB各类设备网卡。主要特点是采用SOPC…… 查看详细 >
技术简介： 针对目前市场注塑、微注塑市场存在的产品精度低、表面质量差、微型产品力学性能低、注塑后须进行表面处理等问题，项目开发出动态变模温注塑模具、蒸汽加热动态变模温温控系统、电加热动态变模温…… 查看详细 >
技术简介： 技术成果介绍：团队将研发新型柔性透明二维云母材料及相关导电衬底，利用云母耐高温、耐腐蚀、性能优异等特性，克服现有有机高分子衬底的诸多局限，打造普适通用的柔性电子器件平台。在此基础上…… 查看详细 >