技术简介： 横向高压器件LDMOS作为高压集成电路的核心器件广泛地应用在小家电,LED照明,适配器,网络通信设备等。LDMOS作为功率开关应用时,由于需要提供高压和大电流,常采用叉指状结构;由于小曲率终端区电场…… 查看详细 >
技术简介： 一种横向高压功率半导体器件的结终端结构,属于半导体功率器件技术领域。通过将横向高压功率半导体器件的曲率终端部分的N型漂移区长度缩短,使得N型漂移区与P-well区间隔一定距离,间隔部分以P型衬…… 查看详细 >
基于多层辅助结构制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法
技术简介： 本发明公开了一种基于多层辅助结构制备具有多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法。其过程为：制造出N/P阱,并在N/P阱上生长Poly-SiGe/SiO＜sub＞2＜/sub＞/Poly-Si多层结构;将最上层的Poly-Si刻蚀成…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高击穿电压场效应晶体管及其制作方法,其自下而上包括衬底（1）、Ga2O3外延层（2）和低掺杂n型Ga2O3薄膜（3）,薄膜上设有高掺杂n型硅离子注入区（4）和绝缘栅介质（7）,离子注入…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种集LED芯片于导电玻璃上的显示器件及其制备方法,包括导电玻璃、分布在导电玻璃上的刻蚀区、分布在导电玻璃上非刻蚀区的LED芯片、连接LED芯片与导电玻璃的电极,涂覆在LED芯片和导…… 查看详细 >
技术简介： 一种槽型积累层MOSFET器件,属于功率半导体器件技术领域。本发明在纵向MOSFET器件的源漏之间的漂移区中引入介质槽,槽内填充介电常数较小的介质材料;介质槽被第二导电类型重掺杂栅端欧姆接触区、…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提出了一种具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（LDMOS）,该LDMOS器件主要特点是在器件漏端的下方通过异质外延技术形成宽禁带半导体SiC埋层。通过将漏端下方体内的高电峰…… 查看详细 >
技术简介： AFS(AdaptiveFrontlighting-System)，全称是自适应前照灯系统或称智能前照明系统。AFS前照灯系统作为车灯技术的一项重大突破，它能够有效地降低驾驶者在夜晚弯路上行车的疲劳程度，使驾驶者能够…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型提供一种具有散热功能的电气控制柜,涉及电气领域,包括柜体和柜门,所述柜体的一侧通过转轴转动连接有柜门,柜体的底部对称式通过两组缓冲机构连接有固定底板,其中固定底板的底部四个拐…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法。晶体管包括：包括：3C-SiC漏区、3C-SiC源区、3C-SiC沟道区、肖特基接触栅电极、4H-SiC衬底、漏极、源极、SiN隔离层;3C-SiC漏区、3C-S…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种CT射束硬化校正中的噪声抑制方法,获取所使用的CT系统对被检测物体进行扫描的一组硬化数据,其中每一射线穿越物体长度对应一个多色投影灰度;采用基于穿越物体长度直方图统计的方…… 查看详细 >
技术简介： 本项目属航空航天技术领域。该技术广泛用于飞机二次电源系统和航空地面保障电源中，它不仅直接关系到飞机飞行的安全性和可靠性，同时也是决定航空电气系统技术水平的主要因素之一。本项目针对现…… 查看详细 >