技术简介： 本发明属于半导体技术领域,具体涉及到一种具有自适应偏置场板的高压MOS器件。本发明主的技术方案,与传统与固定电位连接的金属场板（如栅场板、漏场板以及源场板）相比,一方面,自偏置场板能削弱…… 查看详细 >
技术简介： 本公开提供一种制备具有纵向贯穿晶粒的CdTe薄膜的方法：所述方法包括,在固态CdTe薄膜的制备过程中,在固态CdTe薄膜表面形成在薄膜沉积温度下呈熔融液态的液相共熔物的薄层,所述液相共熔物由CdTe…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及半导体功率器件技术领域,涉及一种横向高压MOS器件及其制造方法。本发明的横向高压器件,其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、设置在第一导电类型半导体衬底中的第二导电类型半导体…… 查看详细 >
技术简介： 具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件,属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上,二者采用共用阳极结构;…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种垂直结构深紫外LED芯片的制造方法。具体为：将p-GaN欧姆接触层利用激光直写工艺加工成网格状结构,并使用了一种高反射率的p型低阻欧姆接触Ni/Al电极与p-GaN网格进行欧姆接触,形…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于印制电路板制造领域,涉及到印制电路板通孔金属化加工方法及设备,尤其是通孔镀铜装置。本发明提供的一种带通孔印制电路板的镀铜装置,包括电源、外槽、内槽、内槽支架、上阳极支架、下…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种激光二极管泵浦固体激光器中晶体端面散热对接方法,其特征是：上支架（5）下端有圆心向下的半圆空腔,下支架（6）上端有圆心向上的半圆空腔,下支架（6）有与半圆空腔轴向垂直一体的…… 查看详细 >
一种半导体材料Si1-X-YCXNY三元化合物薄膜的制备方法
技术简介： 本发明公开了新型半导体材料Si1-X-YCXNY三元化合物薄膜的制备方法：清洗热丝,并将其安装在真空室内进行碳化处理;对衬底清洗后装入真空室,对已装入真空室的衬底进行氢处理和碳化处理;制备薄膜：…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了基于有源区沟槽结构的碳化硅双极型晶体管及其制作方法,属于微电子技术领域。可以解决现有的碳化硅双极型晶体管存在薄基区结构可能会导致低的击穿电压的问题。包括：N+发射区,设置在…… 查看详细 >
技术简介： 项目研究的背景及用途：随着国内汽车保有量的增加，汽车被盗案件呈上升趋势。如何提高汽车的防盗性能，保证车辆财产安全，一些厂商陆续推出了一些汽车防盗产品。主要有机械式和电子式汽车防盗产…… 查看详细 >
技术简介： 在电力基础设施和公共建设领域,电气柜是常见设备。目前,电气柜安装位置一般远离居民区或宽阔地带,检修人员一般都是按照日常进度点检的。但是由于带电电气设备,特别是接触器等开关工作时,由于带…… 查看详细 >
技术简介： 一种热释电红外器件的制备方法,包括：1、在热释电敏感材料的两个表面上均制备金属薄膜电极,作为上、下电极;2、在上电极表面制备红外吸收层;3、采用紫外激光直写技术对热释电敏感材料、上电极和…… 查看详细 >