[01383116]一种复合纳米金刚石薄膜电子发射阴极的制备方法
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所属行业:
其他电气自动化
类型:
非专利
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技术详细介绍
本发明涉及冷光源、信息显示及半导体电子技术领域,公开了一种复合纳米金刚石薄膜电子发射阴极的制备方法,包括下列步骤: a、制备复合纳米金刚石浆料; b、丝网印刷制备复合纳米金刚石薄膜; c、印刷后的热烧结处理; d、热烧结后等离子体处理; e、在导电衬底上引出阴极电极即可。 本发明制备的复合纳米金刚石薄膜电子发射阴极具有电子发射效率高、稳定性高、使用寿命长,工作温度范围大等优点,可用于制作极地考察、航空航天等的恶劣工作环境的节能冷光源、显示器、传感器、半导体电子源。
本发明涉及冷光源、信息显示及半导体电子技术领域,公开了一种复合纳米金刚石薄膜电子发射阴极的制备方法,包括下列步骤: a、制备复合纳米金刚石浆料; b、丝网印刷制备复合纳米金刚石薄膜; c、印刷后的热烧结处理; d、热烧结后等离子体处理; e、在导电衬底上引出阴极电极即可。 本发明制备的复合纳米金刚石薄膜电子发射阴极具有电子发射效率高、稳定性高、使用寿命长,工作温度范围大等优点,可用于制作极地考察、航空航天等的恶劣工作环境的节能冷光源、显示器、传感器、半导体电子源。