技术简介： 摘要：本发明涉及一种电极边缘镶嵌绝缘体的低温等离子体杀菌处理腔，该低温等离子体杀菌处理腔的两个金属电极板边缘镶嵌有绝缘体材料，可以有效地削弱电极边缘的尖峰电场，使处理腔内部获得较为…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型涉及医疗器械技术，特别涉及一种三维胶囊内窥镜无线充电装置，包括功率发射单元和胶囊内窥镜功率接收单元，所述电磁发射线圈采用聚氯乙烯材料作为骨架，利兹线绕制成37匝的线圈，所述…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种用氧化物填充扩展沟槽栅超结MOSFET及其制造方法,包括沟槽型的多晶硅栅极、栅氧化层及栅氧化层两侧的p-Well区,p-Well区内设置有n＜sup＞+＜/sup＞源区;多晶硅栅极的正下方设有扩…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种垂直结构深紫外LED芯片的制造方法。具体为：将p-GaN欧姆接触层利用激光直写工艺加工成网格状结构,并使用了一种高反射率的p型低阻欧姆接触Ni/Al电极与p-GaN网格进行欧姆接触,形…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于印制电路板制造领域,涉及到印制电路板通孔金属化加工方法及设备,尤其是通孔镀铜装置。本发明提供的一种带通孔印制电路板的镀铜装置,包括电源、外槽、内槽、内槽支架、上阳极支架、下…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及半导体功率器件技术领域,涉及一种横向高压MOS器件及其制造方法。本发明的横向高压器件,其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、设置在第一导电类型半导体衬底中的第二导电类型半导体…… 查看详细 >
基于非晶化与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法。其实现步骤是：在清洗后的AlN埋绝缘层上Si晶圆顶层Si层上淀积SiO2层;对顶层Si层进行离子注入形成非晶化层,并…… 查看详细 >
技术简介： 具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件,属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上,二者采用共用阳极结构;…… 查看详细 >
技术简介： 一种SOI横向功率MOSFET器件,属于功率半导体器件技术领域。本发明在漂移区引入介质槽,槽内填充两种或两种以上的介质材料,且介质材料的介电系数低于有源层的介电常数,同时介电系数自下而上逐渐递…… 查看详细 >
技术简介： 该项技术为解决有直配出线之旋转电机的大气过电压保护问题。运行中电机防雷保护所需避雷器保护比应在１．２４以下，而目前国内外生产的避雷器均不能满足此要求。该项技术的要点是将氧化锌电阻与…… 查看详细 >
技术简介： 该项目属于半导体照明工程高效集成大功率LED光源关键技术和汽车照明应用技术领域。大功率LED作为新能源汽车车灯光源，与传统的卤钨灯、HID灯相比，在节能、环保、设计自由度等方面具有明显的优…… 查看详细 >
技术简介： ①课题来源与背景：本项目来源于皖西学院自然科学重点研究项目。目前,园林维护工人需要经常修剪树木枝叶,以便树木健康生长,但是现有的园林修剪工具缺少对高空中粗壮枝干的修剪工具,使得很多树木…… 查看详细 >