技术简介： 本发明公开了一种电极引线及微桥结构中的电极引线的制备方法,属于电极引线及微桥结构中的电极引线技术领域,该制备方法有效的增强了电连接的稳定性和均匀性,简化了电极引线的制备工艺。本发明中…… 查看详细 >
技术简介： ＨＧ８３００系统由３８６便携式计算机、数据采集板、电流传感器、压电加速度传感器、电机诊断软件及振动分析软件组成。用于设备诊断数据采集、电机故障诊断及一般设备故障精密诊断。其技术创新…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法,具体地说,是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法,属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤：清洗硅片、在清洗后的硅片上制备…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于碳化硅金属半导体场效应晶体管结构的β射线辐照探测器,主要解决现有β辐照探测器抗辐照性能不佳和能量转换效率低的问题。该探测器自下而上包括n型衬底（8）、p型缓冲层（7…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种ECR等离子体溅射装置用基板保持器,包括原基板（3）,与原基板（3）连接的固定轴（4）,依次轴向设置在固定轴（4）上的支撑板（5）和用于连接真空腔的固定法兰（2）,支撑板（5）和…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法,主要解决欧姆接触的比接触电阻大的问题。其过程是：对SiC衬底进行预处理,并在SiC衬底上外延GaN重掺杂层或SiC：Ge过渡层;在GaN重掺杂层…… 查看详细 >
技术简介： 该系统集全球定位(GPS)、通信、网络及计算机技术为一体，能对移动目标(例如车辆、船只等)进行实时定位、导航、跟踪、监控、报警、管理等，并提供信息服务。技术特点(或优势)及应用领域：在监控…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种异质金属堆叠栅SSGOIpMOSFET器件结构,自上而下依次包括：异质金属堆叠栅结构;栅绝缘层;本征或者n-掺杂应变Si沟道层;本征或者n-掺杂组分渐变的应变Si1-xGex层;n掺杂弛豫Si1-yGey…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种射频功率半导体器件的金属互联结构及制作方法，主要改善现有同类器件金属互联中存在成本高的问题。其制作过程为：在已做好源、栅、漏电极的待加工器件上生长介质；在介质层上光…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法。其实现步骤是：1)在清洗后的SOI晶圆顶层Si层上淀积SiO2层;2)对顶层Si层进行离子注入形成非晶化层,并去除非晶化层上的SiO2…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种低温Si与有机的叠层太阳能电池,主要解决现有太阳能电池能量转换效率低的问题。其包括阴极（1）、n型硅片基体（2）、p型有机导电薄膜（3）、p型缓冲层（4）、电子传输层（5）、…… 查看详细 >
技术简介： 主要经济技术指标：利用普通电话加装自动拨号报警器，能在不影响电话机正常使用功能的前提下，增加防盗、防火、报警功能，在为你的家庭的忠诚卫士。一旦发生盗情、火情，电话机会自动拨通预定的…… 查看详细 >