[01161204]异质金属堆叠栅SSGOI pMOSFET器件结构
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技术详细介绍
本发明公开了一种异质金属堆叠栅SSGOI pMOSFET器件结构,自上而下依次包括：异质金属堆叠栅结构;栅绝缘层;本征或者n-掺杂应变Si沟道层;本征或者n-掺杂组分渐变的应变Si1-xGex层;n掺杂弛豫Si1-yGey层;台阶式埋氧层;n掺杂衬底部分,由n+掺杂弛豫Si1-yGey层,n-掺杂弛豫Si1-yGey缓冲层、n掺杂驰豫SiGe渐变层以及n-掺杂单晶Si（100）衬底四部分构成。该器件结构简单,与常规体Si SOI工艺完全兼容,集成了“栅极工程”“应变工程”及“衬底工程”三者的优点,并易于CMOS结构工艺集成。