X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
帮助中心 | 关于我们
欢迎来到合肥巢湖经开区网上技术交易平台,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00150703]以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 生物医用材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:200810070841.4

交易方式: 技术转让 技术转让 技术转让

联系人: 厦门大学

进入空间

所在地:福建厦门市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
|
收藏
|

技术详细介绍

  项目简介:

  以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片的制备方法,涉及一种药物芯片的制备方法。提供一种将聚吡咯药物释放技术与MEMS技术相结合,具备控制释放功能的以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片的制备方法。以单晶硅片为基底,通过微机电技术在硅片的表面构建由30~10000个金微电极组成的微电极阵列,微电极阵列中每个金微电极的通、断电状态为单独控制;将构建后的微电极阵列浸入由吡咯单体和磺化铝酞菁组成的电解质溶液中,然后采用恒电位法或循环伏安法在每个金微电极上生长掺杂磺化铝酞菁的聚吡咯膜,得到以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片。


  项目简介:

  以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片的制备方法,涉及一种药物芯片的制备方法。提供一种将聚吡咯药物释放技术与MEMS技术相结合,具备控制释放功能的以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片的制备方法。以单晶硅片为基底,通过微机电技术在硅片的表面构建由30~10000个金微电极组成的微电极阵列,微电极阵列中每个金微电极的通、断电状态为单独控制;将构建后的微电极阵列浸入由吡咯单体和磺化铝酞菁组成的电解质溶液中,然后采用恒电位法或循环伏安法在每个金微电极上生长掺杂磺化铝酞菁的聚吡咯膜,得到以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片。


推荐服务:

Copyright    ©    2016    合肥巢湖经开区网上技术交易平台    All Rights Reserved

皖ICP备15001458号

运营商:科易网