技术详细介绍
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是提供一种热光伏电池的结构，其包括生长在InP衬底上并与所述InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yBiy电池，所述InxGa1-xAs1-yBiy电池的禁带宽度为0.21～0.73eV。本发明还提供这种热光伏电池的制备方法。本发明采用与InP晶格匹配的InGaAsBi作为有源区材料；InGaAsBi覆盖禁带宽度为0.21～0.73eV，可针对特定的辐射源，优化带隙，获得更高的转换效率，能够满足热光伏系统的要求。
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是提供一种热光伏电池的结构，其包括生长在InP衬底上并与所述InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yBiy电池，所述InxGa1-xAs1-yBiy电池的禁带宽度为0.21～0.73eV。本发明还提供这种热光伏电池的制备方法。本发明采用与InP晶格匹配的InGaAsBi作为有源区材料；InGaAsBi覆盖禁带宽度为0.21～0.73eV，可针对特定的辐射源，优化带隙，获得更高的转换效率，能够满足热光伏系统的要求。