[00993864]硅基纳米半导体发光材料
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技术详细介绍
该项目通过改变富硅量、退火条件等，控制氧化硅中硅纳米晶的尺寸及密度；首次观察到Au/（Ge/SiO2）超晶格/p-Si结构的电致发光；在硅衬底上用磁控溅射技术生长了纳米SiO2/Si/SiO2双势垒(NDB)单势阱三明治结构，首次实现Au/NDB/p-Si结构的可见电致发光；首次在用磁控溅射生长的SiO2:Si:Er薄膜的基础上实现了波长为1.54μm（光通讯窗口）的Er电致发光；在热处理ITO/自然氧化硅/p-Si中首次获得低阈值电压的360nm的紫外电致发光，是已报道的最短波长的硅基电致发光。