[00099774]硅存储相关卷积器
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：ZL200710073246.1
交易方式：
技术转让
联系人：
深圳职业技术学院
进入空间
所在地：广东深圳市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及一种硅存储相关卷积器，其包括至少一二极管阵列及抽头延迟线，抽头延迟线设置在该二极管阵列的中间，该抽头延迟线与二极管阵列通过二次集成连接。本发明的硅存储相关卷积器的LiNbO3抽头延迟线外接普通二极管阵列结构的声表面波存储相关卷积器，抽头延迟线与二极管阵列通过二次集成接在一起。这种器件结构不仅可以进行解析分析，而且由于LiNbO3的机电耦合系数高，硅二极管的制造工艺成熟，这种结构的器件可以达到较高的效率。
本发明涉及一种硅存储相关卷积器，其包括至少一二极管阵列及抽头延迟线，抽头延迟线设置在该二极管阵列的中间，该抽头延迟线与二极管阵列通过二次集成连接。本发明的硅存储相关卷积器的LiNbO3抽头延迟线外接普通二极管阵列结构的声表面波存储相关卷积器，抽头延迟线与二极管阵列通过二次集成接在一起。这种器件结构不仅可以进行解析分析，而且由于LiNbO3的机电耦合系数高，硅二极管的制造工艺成熟，这种结构的器件可以达到较高的效率。
