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技术详细介绍
该成果是利用两项获国家专利的“中子嬗变直拉硅技术”和“硅片中缺陷的控制与利用”成果与器件工艺结合，成功地制造出了高精度硅压力敏感器件系列。采用中子嬗变掺杂直拉硅（ＮＴＤＣＺＳＩ）制造器件。在结构设计方面，设计了周边固支的园平面磨片式弹性力学结构，增设了温度自动补偿环节，并采用微区均匀性极高的ＮＴＤＣＺＳＩ片，使成品率提高了５％－１０％，优品率提高１０％－２０％；工艺中采用含辐照缺陷的抛光硅片直接进入氧化工艺。辐照缺陷在热过程中分解并与氧相互作用，实现了ＣＺＳＩ片中氧的可控沉淀和理想的内吸杂结构，使器件反向击穿电压提高了漏流和零位输出降低，并且改善了温漂。该成果填补了河北省内空白，为河北省传感器向高层次发展，起到了推动作用。