[00975910]提高硫化锡半导体薄膜电导率的方法
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技术详细介绍
该发明涉及一种提高硫化锡半导体薄膜电导率的方法，属半导体薄膜制备及改性处理技术领域。该发明方法具有以下工艺过程和步骤：(1)在高纯度的硫化锡粉末中掺加入0.2-1.2wt%的金属锑粉，并进行充分的研磨和混合；(2)然后将上述混合料放于钼舟中，在真空镀膜机内进行蒸发制膜，真空蒸发过程中的工艺参数为：真空度1.5-2.0×10-4Pa、基片与蒸发源的距离10cm、蒸发源温度1100℃，最终可在基片上获得高电导率的硫化锡半导体薄膜。发明专利号：ZL200610023277.1。