[00965235]集成电路金属化自形成阻挡层研究
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技术详细介绍
该项目深入分析了掺杂原子扩散规律和物理本质，揭示自形成阻挡层性能和抗电迁徙性能的微观机制。取得如下成果：形成铜互连籽晶层Cu(V)合金制备的综合性工艺方案；提出一种较为完善的互连热稳定性评定体系；提出改善合金铜籽晶层表界面特性及互连体系稳定性的有效措施；获得国家发明专利授权7项。该项成果可望积极推动合金铜籽晶层在集成电路铜互连中的应用，为纳米尺度集成电路与半导体器件的金属化工艺和方法奠定一定的理论和实验基础。