[00946723]梯度强磁场单向凝固结晶装置
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非专利
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技术详细介绍
该实用新型涉及一种梯度强磁场单向凝固结晶装置,属磁场控制晶体生长的晶体制备技术领域。该实用新型包括有盛放熔融态材料的坩埚或模型,其旁侧设有加热元件、保温层,隔热水套,超导线圈,超导线圈置于杜瓦罐内,坩埚或模型的下面设置有可通入冷却剂的冷却器;装置下部的拉出装置的上面设有导轨和平台,拉出装置可使平台上的冷却器沿导轨向前移动,并带动上面坩埚或模型同步移动。超导线圈通入直流电最高为1000A,产生的磁场的磁感应强度B为1-40T范围内,Bz(dBz/dz)值在200-3400T2/m范围内。该实用新型装置可制备出成分和性能均匀的结晶晶体材料。实用新型专利号:ZL200420037333.3。
该实用新型涉及一种梯度强磁场单向凝固结晶装置,属磁场控制晶体生长的晶体制备技术领域。该实用新型包括有盛放熔融态材料的坩埚或模型,其旁侧设有加热元件、保温层,隔热水套,超导线圈,超导线圈置于杜瓦罐内,坩埚或模型的下面设置有可通入冷却剂的冷却器;装置下部的拉出装置的上面设有导轨和平台,拉出装置可使平台上的冷却器沿导轨向前移动,并带动上面坩埚或模型同步移动。超导线圈通入直流电最高为1000A,产生的磁场的磁感应强度B为1-40T范围内,Bz(dBz/dz)值在200-3400T2/m范围内。该实用新型装置可制备出成分和性能均匀的结晶晶体材料。实用新型专利号:ZL200420037333.3。