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[00902471]一种用于光电催化的g-C3N4复合薄膜材料的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 专用化学

类型: 发明专利

技术成熟度: 通过小试

专利所属地:中国

专利号:CN202010650087.2

交易方式: 其他

联系人:

所在地:天津天津市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明公开一种用于光电催化的g-C,3,N,4,复合薄膜材料的制备方法,该方法首先采用水热法和热蒸气液聚法制备g-C,3,N,4,薄膜;然后采用连续的离子层吸附法(SILAR)将Bi,2,S,3,纳米颗粒负载到g-C,3,N,4,薄膜上;最后利用光电化学沉积法将Co-Pi纳米颗粒沉积到g-C,3,N,4,/Bi,2,S,3,上最终得到g-C,3,N,4,/Bi,2,S,3,/Co-Pi薄膜复合材料。所制备的复合薄膜材料提升了g-C,3,N,4,的可见光吸收,促进了光电催化性能的提高;制备方法简单易操作,整体成本低廉。
本发明公开一种用于光电催化的g-C,3,N,4,复合薄膜材料的制备方法,该方法首先采用水热法和热蒸气液聚法制备g-C,3,N,4,薄膜;然后采用连续的离子层吸附法(SILAR)将Bi,2,S,3,纳米颗粒负载到g-C,3,N,4,薄膜上;最后利用光电化学沉积法将Co-Pi纳米颗粒沉积到g-C,3,N,4,/Bi,2,S,3,上最终得到g-C,3,N,4,/Bi,2,S,3,/Co-Pi薄膜复合材料。所制备的复合薄膜材料提升了g-C,3,N,4,的可见光吸收,促进了光电催化性能的提高;制备方法简单易操作,整体成本低廉。

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