技术详细介绍
本发明公开一种用于光电催化的g-C,3,N,4,复合薄膜材料的制备方法,该方法首先采用水热法和热蒸气液聚法制备g-C,3,N,4,薄膜;然后采用连续的离子层吸附法(SILAR)将Bi,2,S,3,纳米颗粒负载到g-C,3,N,4,薄膜上;最后利用光电化学沉积法将Co-Pi纳米颗粒沉积到g-C,3,N,4,/Bi,2,S,3,上最终得到g-C,3,N,4,/Bi,2,S,3,/Co-Pi薄膜复合材料。所制备的复合薄膜材料提升了g-C,3,N,4,的可见光吸收,促进了光电催化性能的提高;制备方法简单易操作,整体成本低廉。
本发明公开一种用于光电催化的g-C,3,N,4,复合薄膜材料的制备方法,该方法首先采用水热法和热蒸气液聚法制备g-C,3,N,4,薄膜;然后采用连续的离子层吸附法(SILAR)将Bi,2,S,3,纳米颗粒负载到g-C,3,N,4,薄膜上;最后利用光电化学沉积法将Co-Pi纳米颗粒沉积到g-C,3,N,4,/Bi,2,S,3,上最终得到g-C,3,N,4,/Bi,2,S,3,/Co-Pi薄膜复合材料。所制备的复合薄膜材料提升了g-C,3,N,4,的可见光吸收,促进了光电催化性能的提高;制备方法简单易操作,整体成本低廉。