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[00901961]基于三值忆阻器交叉阵列的数字与非门实现方法

交易价格: 面议

所属行业: 电子元器件

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN202110325802.X

交易方式: 其他

联系人:

所在地:浙江杭州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明公开了一种基于三值忆阻器交叉阵列的数字与非门实现方法。本发明采用3×2结构的三值忆阻器交叉阵列,其中两个作为输入忆阻器,一个作为输出忆阻器。三值与非门的逻辑状态用忆阻器的阻值表示,本发明设计的基于三值忆阻器交叉阵列的三值数字逻辑与非门电路,结构清晰简单、易于实现。该与非门的交叉阵列实现对多值数字逻辑运算与存储一体化等诸多领域中的应用研究具有重要意义。
本发明公开了一种基于三值忆阻器交叉阵列的数字与非门实现方法。本发明采用3×2结构的三值忆阻器交叉阵列,其中两个作为输入忆阻器,一个作为输出忆阻器。三值与非门的逻辑状态用忆阻器的阻值表示,本发明设计的基于三值忆阻器交叉阵列的三值数字逻辑与非门电路,结构清晰简单、易于实现。该与非门的交叉阵列实现对多值数字逻辑运算与存储一体化等诸多领域中的应用研究具有重要意义。

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