[00891413]半导体薄膜内包层放大光纤及其制造方法
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技术详细介绍
该发明涉及一种新型的纳米半导体薄膜内包层放大光纤及其制造方法，属光纤技术领域。该发明的半导体薄膜内包层放大光纤，它由纤芯、薄膜内包层和外包层组成，半导体薄膜内包层夹于在纤芯和外包层之间。该发明提供了采用气相沉积法在特殊的MCVD制棒机上直接制成具有外包层沉积、半导体薄膜内包层沉积和纤芯沉积的光纤预制棒，然后进行拉制光纤。该发明的纳米半导体薄膜内包层放大光纤制成的放大器具有集成化强、频率宽、增益高、结构简单等特点。发明专利号：ZL200410016258.7。