[00885713]二氟化硼分子离子电离辐射加固机理及在硅栅PMOSFET中的应用
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技术详细介绍
适用于ＣＭＯＳ电离辐射加固集成电路的研制与生产。主要技术内容和指标：在内外首次发现了二氟化硼分子离子注入硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ电离辐射加固实验现象；在γ辐射总剂量５×１０〈’２〉￣２×１０〈’４〉ＧＹ（Ｓｉ）范围内，研究了ＢＦ〈’＋〉〈，２〉注入能量为８０ｋｅＶ，剂量为２．５×１０〈’１４〉￣３×１０〈’１５〉ｃｍ〈’－２〉的ＰＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移与辐射总剂量、ＢＦ〈’＋〉〈，２〉注入剂量的定量关系，在２×１０〈’１５〉ｃｍ〈’－２〉最佳注入剂量下，在２×１０〈’４〉ＧＹ（Ｓｉ）辐射下ＰＭＯＳＦＥＴ阈值电压仅漂移了０．９１伏；二氟化硼分子离子注入加固栅介质的新技术，具有加固效果好、方法简单、工艺兼容性好，易于推广应用的特点。该技术应用于电离辐射加固电路ＬＣ４００７的研制，使电路中硅栅ＰＭＯＳ抗总剂量能力提高了５－１０倍，达到了５×１０〈’４〉￣１×１０〈’５〉ＧＹ（Ｓｉ）；采用亚阈分离技术及ＳＩＭＳ等多种手段探讨了二氟化硼分子离子电离辐射加固机理，提出了氟在ＳｉＯ〈，２〉中和ＳｉＯ〈，２〉／Ｓｉ界面的分布模型，圆满解释了实验结果，为进一步提高二氟化硼分子离子注入电离辐射加固性能提供了理论依据。