[00880352]高反压大面积金硅面垒型探测器
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技术详细介绍
该探测器为硅面垒型探测器。由于采用了有效的局部净化工艺和较好的表面清洁处理、特殊的粘接保护技术，使该探测器具有耐高反压和高低温冲击的特点：一般耐压可达１０００伏以上，最高可达４５００伏以上。半高宽为６０ＫｅＶ（对２４１Ａｍ５．４８６ＭｅＶα粒子）。此外，还具有一定的抗恶劣环境的能力，在０．００００１乇时能正常工作，经过＋５０℃至－６０℃各恒温８小时，往返循环冲击７２小时后性能完好。可用于探测α、β、ｎ、Ｈ°、Ｄ°及其它带电粒子。