[00873227]压力传感器特性、封接、引线可靠性研究
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技术详细介绍
该项目在国际上首先发现零点的电漂移现象，并给予了定义，提出应将它作为技术指标；提出反向漏电流也对零点热漂移有影响；提出可用斜置四探针检测微区薄层电阻；提出可用低温玻璃封接实现压力传感器的芯片封接；国际领先测定Au-TiW-Ae层的激活能，提出300℃热处理；肯定多晶硅有吸除硅基片中的重金属杂质作用。该项目研究除完成智能压力传感器项目（精度指标0.5%～0.1%FS）外，还对传感器的特性、封装、引线可靠性的基础理论作了深入研究。