[00871320]二氟化硼分子离子注入电离辐射加固机理及在硅栅
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技术详细介绍
MOS器件在γ辐射环境下，由于电离辐射效应，将在SiO<,2>中和SiO<,2>/Si界面产生氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷，从而引起阈值电压的漂移，γ辐照剂量越大，MOS器件阈值电压漂移越严重。二氟化硼是一种分子离子，将它注入到硅栅后，经过适当热退火处理，氟原子将通过扩散、吸收和发射，从多晶硅迁移到SiO<,2>中并到达SiO<,2>/SiO<,2>中形成“U”型分布。该项目着重研究二氟化硼分子离子注入加固硅栅PMOS的抗γ辐射特性、抗电高辐射加固机理、氟在多晶硅和SiO<,2>中迁移特性、二氟化硼注入剂量和退火条件，达到提高CMOS电路中PMOS抗γ辐射总剂量的目的。