[00868102]InGaAsP/InP多量子阱锁模激光器及其超短脉冲产生
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技术详细介绍
该项目组研制出一套输出波长1550nm、重复频率高（10GHz）、脉冲宽度窄（～3ps）的超快、超短脉冲光源InGaAsP/InP多量子阱锁模半导体激光器实验装置。即在实验中，采用直接RF高频调制的方法，通过多量子阱外腔混合锁模（主动/被动锁模）技术，获得具有脉宽窄、频率啁啾小（接近变换极限值）、饱和吸收能量小（＜1pJ）、重复频率高、波长可调谐范围大（35nm）、结构简单、稳定性好、易于长期工作等优点的多量子阱外腔混合锁模半导体激光器，是目前超高速光通信（OTDM）系统中的理想光源。