[00865533]大直径区熔单晶硅(FZSi)制备技术
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非专利
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技术详细介绍
区熔单晶硅(FZSi)是电力电子器件用的基础材料。电力电子器件(分立器件)是现代信息社会自动化控制的核心。近年来,中国半导体分立器件产业一直保持平稳增长的势头,已经成为电子基础产品工业的重要组成部分。无论是科研水平、新产品开发、还是产业发展都取得了长足的进步和发展。2001年,中国半导体分立器件销售额占国内半导体市场销售额的21%。据Insights预测,2004年世界半导体分立器件的消售额将从1999年的245亿美元增长到420亿美元,半导体分立器件的市场一直在稳步发展。据海关统计,2002年中国约进口分立器件800亿只晶体管,约200亿人民币,而且还再以30%的速度增长。在这些进口产品中,大多数是技术含量比较高的高档分立器件。其中有些目前中国虽已能生产,但都还没有形成大规模生产能力,市场主要被外国产品占领。中国FZ硅生产厂家约有十家,年产量不足200吨,经济效益一直比较好。但市场缺口一直比较大。该项目属高科技项目,河北省空白。其工艺技术成熟,已完成中试,并已小规模进行试生产成功。市场前景:分立器件领域最有希望的产品有变容二极管、肖特基二极管、半导体放电管、开关二极管、快恢复整流二极管(片式封装)、功率半导体器件、硅及GaAs微波功率器件、电子器件等。应用领域:手机、高频产品、每年国内用量10亿只以上;手机、PPC、HPC、PDA、音响、彩电、AC/DC、DC/DC、微波通信、雷达等领域将是应用最广泛的二极管;应用比较广泛国内市场在100亿只以上;它是过载保护器件,应用广泛,品种很多,市场达数亿只;主要节能灯用3DDl3000系列双极大功率晶体管IGBT、SIT等功率器件。仅国内节能灯需要功率晶体管11亿只以上;主要用于通信及军事装备;发光管,特别是高亮度发光器件应用广泛。市场前景广阔。规模与投资:年产10吨单晶硅,投资额大约3000-4000万元。生产设备:FZSi单晶炉4台及直拉炉和晶片加工设备。合作方式:双方商定。
区熔单晶硅(FZSi)是电力电子器件用的基础材料。电力电子器件(分立器件)是现代信息社会自动化控制的核心。近年来,中国半导体分立器件产业一直保持平稳增长的势头,已经成为电子基础产品工业的重要组成部分。无论是科研水平、新产品开发、还是产业发展都取得了长足的进步和发展。2001年,中国半导体分立器件销售额占国内半导体市场销售额的21%。据Insights预测,2004年世界半导体分立器件的消售额将从1999年的245亿美元增长到420亿美元,半导体分立器件的市场一直在稳步发展。据海关统计,2002年中国约进口分立器件800亿只晶体管,约200亿人民币,而且还再以30%的速度增长。在这些进口产品中,大多数是技术含量比较高的高档分立器件。其中有些目前中国虽已能生产,但都还没有形成大规模生产能力,市场主要被外国产品占领。中国FZ硅生产厂家约有十家,年产量不足200吨,经济效益一直比较好。但市场缺口一直比较大。该项目属高科技项目,河北省空白。其工艺技术成熟,已完成中试,并已小规模进行试生产成功。市场前景:分立器件领域最有希望的产品有变容二极管、肖特基二极管、半导体放电管、开关二极管、快恢复整流二极管(片式封装)、功率半导体器件、硅及GaAs微波功率器件、电子器件等。应用领域:手机、高频产品、每年国内用量10亿只以上;手机、PPC、HPC、PDA、音响、彩电、AC/DC、DC/DC、微波通信、雷达等领域将是应用最广泛的二极管;应用比较广泛国内市场在100亿只以上;它是过载保护器件,应用广泛,品种很多,市场达数亿只;主要节能灯用3DDl3000系列双极大功率晶体管IGBT、SIT等功率器件。仅国内节能灯需要功率晶体管11亿只以上;主要用于通信及军事装备;发光管,特别是高亮度发光器件应用广泛。市场前景广阔。规模与投资:年产10吨单晶硅,投资额大约3000-4000万元。生产设备:FZSi单晶炉4台及直拉炉和晶片加工设备。合作方式:双方商定。