[00861493]PDP显示器选址驱动芯片

该PDP驱动芯片设计了一种能与标准低压CMOS工艺完全兼容的HV-CMOS的新型器件结构，提出了单阱非外延工艺的实现方法，并在无锡上华半导体公司的标准CMOS工艺线上实现，从而大大地降低了芯片制造成本。芯片的最高耐压达100V、最大电流50mA，稳定工作电压90V、电流40mA，且可翻转极性输出64路高压并行输出；设有4组16位双向移位寄存器，由外部时钟和锁存器进行数据控制，最大时钟工作频率达20MHz以上，适合数字电视信号的接口控制，成功地点亮了PDP显示屏，已申请中国专利6项。该项目于二OO二年五月由江苏省科技厅组织专家进行了技术鉴定，认为“该项目设计的拥有自主知识产权的PDP驱动电路芯片完全可以基于国内流水线产业化，并且显著降低成本，技术成果达到了国内领先，国际先进水平。”该项目的器件结构和工艺上的创新技术，实现了利用国内现有的生产设备进行规模化生产，性能达到国际主流标准，而成本大大低于国外同类产品。技术指标：高压CMOS结构；高压CMOS工艺；4组16位的双向移位寄存器；由外部时钟和锁存器进行数据控制；最大时钟工作频率20MHz以上；宽工作温度范围(–30 to 65℃)；工作输出电压90V；工作输出电流±40mA；可翻转极性输出，64路高压输出；成果应用情况：平板显示器驱动电路。转让方式及经费：面议。