[00856603]硫化氢半导体传感器气敏元件的制造方法
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技术详细介绍
该发明涉及一种对硫化氢气体敏感的半导体传感器气敏元件制造方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该制造方法的特征在于，采用厚膜工艺在氧化铝衬底上制备二氧化锡层，再在二氧化锡层表面制备氧化铜层，形成氧化铜/二氧化锡复合膜的气敏元件。该发明制备所得的氧化铜/二氧化锡复合膜气敏元件，可使该气敏元件大大提高对硫化氢气体的敏感性能和选择性能。该发明方法能提供一种制造工艺简便，价格低廉的检测硫化氢的半导体传感器气敏元件。发明专利号：ZL03141513.X。