[00851188]制备铅的硫族化合物半导体单晶的装置
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技术详细介绍
该实用新型涉及一种制备铅的硫族化合物半导体单晶的装置，属半导体单晶制备工艺技术领域。该实用新型装置主要包括有外石英管、内石英管、立式加热炉、滑轮和马达。外石英管与底部敞开的内石英管间焊有接合缝，以固定内石英管；外石英管与底部为盛放原料的熔化反应区；内石英管的上部设有一收缩的狭细的管颈口，该管颈口上可放置一便能定向生长单晶的籽晶体；内石英管的上部为一单晶生长形成区；整个石英管总体放置于一四周设有加热元件的立式加热炉内，立式加热炉上下部各设为低温区和高温区；外石英管上部的收缩狭细管颈部连接有可使石英管总体提升移动的滑轮及传动马达。该装置可制备获得较大的铅的硫族化合物半导体单晶。实用新型专利号：ZL200520043839.X。