[00847187]白色大尺寸GaN基LED器件研究
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技术详细介绍
该项目通过创新的三步生长，缺陷阻挡及GaN重新成核方法得到了低位错密度的外延薄膜。由综合调节InGaN量子阱的组分、厚度、势垒高度以及掺杂水平的方法，使量子阱发光强度达到最高；采用表面微腐蚀方法，改善GaN表面和优化工艺条件将P电极欧姆接触影响降到最低；结合电镀及厚胶工艺，解决了电极形状、散热方式与封装匹配的技术问题；采用低熔点大面积凸点制作及倒装焊技术，解决了大尺寸管芯电流扩展效应；合理设计版图解决大尺寸器件电流均匀性问题。器件电极划分采用环形设计，n电极包围p电极，保证了电流在整个芯片范围均匀流动。提高器件发光效率，解决了局部过热的问题，使器件性能和使用寿命大大提高。