[00835573]SDB技术用于4英寸硅片规模生产
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非专利
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技术详细介绍
经项目组两年多努力,使学校科研成果转化为规模生产,建立了一条年产6.7万4吋片的SDB(硅片直接键合)生产线,突破了适合4吋片键合规模生产的工艺技术,如硅片抛光质量,表面活化处理技术,预键合技术,边缘问题、热处理问题及减薄技术等。建立了4 吋片键合规模生产的关键生产设备和检测仪器、工装夹具。技术指标:键合面积>98%,无大于0.5mm直径的空洞;批量合格率>96%;键合片强度与单晶硅相当;键合片边缘质量良好。以上指标满足规模生产要求。应用情况:用SDB衬底材料制造电力电子器件具有独特的优点,与三重扩散材料相比提高了工效、节约了能源、减少了生产过程中的碎片率,提高了成品率,器件性能也大大提高。与外延材料相比,可节约成本费20%以上,投资小,并可减少对环境的污染。
经项目组两年多努力,使学校科研成果转化为规模生产,建立了一条年产6.7万4吋片的SDB(硅片直接键合)生产线,突破了适合4吋片键合规模生产的工艺技术,如硅片抛光质量,表面活化处理技术,预键合技术,边缘问题、热处理问题及减薄技术等。建立了4 吋片键合规模生产的关键生产设备和检测仪器、工装夹具。技术指标:键合面积>98%,无大于0.5mm直径的空洞;批量合格率>96%;键合片强度与单晶硅相当;键合片边缘质量良好。以上指标满足规模生产要求。应用情况:用SDB衬底材料制造电力电子器件具有独特的优点,与三重扩散材料相比提高了工效、节约了能源、减少了生产过程中的碎片率,提高了成品率,器件性能也大大提高。与外延材料相比,可节约成本费20%以上,投资小,并可减少对环境的污染。