[00820600]真空蒸发物理气相沉积薄膜生长装置
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技术详细介绍
该实用新型涉及一种真空蒸发气相沉积薄膜生长装置，属物理气相沉积技术领域。该实用新型的装置主要包括有一种罩形玻璃容器，其上部为烧有钨丝的玻璃顶盖，两者结合处设置有密封圈凹槽；容器底部有一盛放源料物质的蒸发管与之连接；在肩部形成的腔体平台上放置有隔热板，并在其上放有玻璃基片，基片上面设有贴紧的基片加热板；容器中部设有真空抽气口；容器外壁周围设有循环冷却水管。该装置的操作温度要求源料物质的温度要求范围为50-120℃，加热板的温度要求范围为室温-100℃。真空度要求为10-3-10-4Pa(帕)。该实用新型的装置结构简单，易于操作，可重复使用；特别适合于制备较大面积的探测器级碘化汞薄膜。实用新型专利号：ZL200720069314.2。