[00818825]0.18umCMOS工艺10Gb/s4:1复接电路
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类型:
非专利
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技术详细介绍
利用0.18mmCMOS工艺实现10Gb/s光发射机4:1复接电路芯片。该电路采用树型结构,低速复接单元采用双相动态伪NMOS逻辑实现,高速复接单元采用的SCL锁存器和选择器结构,以实现性能的优化。该复接电路输出信号单端峰-峰值180mV,电路功耗仅为180mW,最高复接输出速率为10.8Gb/s。该成果利用0.18mmCMOS工艺实现用于速率为l0Gb/s光发射机的低功耗复接器,使得在高速系统中采用成本低廉的CMOS芯片成为可能。同时,该电路的设计成功也表明中国在高速、超高速集成电路设计方面拥有自主设计开发能力,对中国信息高速公路的建设具有重大的意义,具有广阔的市场前景。此外,其设计技术对于实现高速的并串转换电路具有借鉴意义。合作方式:产品开发合作。
利用0.18mmCMOS工艺实现10Gb/s光发射机4:1复接电路芯片。该电路采用树型结构,低速复接单元采用双相动态伪NMOS逻辑实现,高速复接单元采用的SCL锁存器和选择器结构,以实现性能的优化。该复接电路输出信号单端峰-峰值180mV,电路功耗仅为180mW,最高复接输出速率为10.8Gb/s。该成果利用0.18mmCMOS工艺实现用于速率为l0Gb/s光发射机的低功耗复接器,使得在高速系统中采用成本低廉的CMOS芯片成为可能。同时,该电路的设计成功也表明中国在高速、超高速集成电路设计方面拥有自主设计开发能力,对中国信息高速公路的建设具有重大的意义,具有广阔的市场前景。此外,其设计技术对于实现高速的并串转换电路具有借鉴意义。合作方式:产品开发合作。