[00818158]大电流肖特基二极管的研制
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技术详细介绍
大电流肖特基二极管是一种新型的高频高效电子器件,可广泛用于高速开关电源、程控电话和各种军事装备,是我国军用和民用系统急需的配套器件。该课题采用先进的难熔金属硅化物技术、平面工艺、保护环结构和自行研制的高可靠的多层金属电极及背面金属化技术,研制出性优异的硅化物—硅肖特其势垒二极管系列(10A,5A,2。5A,100mA和30mA)产品。经测试检验,该系列二极管具有漏电流小,正向压降低,反向恢复时间短等优点。对于10A典型参数的测定结果是:量大正向电流为10A,正向压降<0.5V;反向击穿电压>80V;反向漏电流<50μA;反向恢复时间<60ns。小电流(100mA和30mA)肖特基二极管,反向漏电流小1μA,正向压降为0.24~0.36V,反向恢复时间为2ns。主要性能参数达到目前国际同类产品主要参数水平。
大电流肖特基二极管是一种新型的高频高效电子器件,可广泛用于高速开关电源、程控电话和各种军事装备,是我国军用和民用系统急需的配套器件。该课题采用先进的难熔金属硅化物技术、平面工艺、保护环结构和自行研制的高可靠的多层金属电极及背面金属化技术,研制出性优异的硅化物—硅肖特其势垒二极管系列(10A,5A,2。5A,100mA和30mA)产品。经测试检验,该系列二极管具有漏电流小,正向压降低,反向恢复时间短等优点。对于10A典型参数的测定结果是:量大正向电流为10A,正向压降<0.5V;反向击穿电压>80V;反向漏电流<50μA;反向恢复时间<60ns。小电流(100mA和30mA)肖特基二极管,反向漏电流小1μA,正向压降为0.24~0.36V,反向恢复时间为2ns。主要性能参数达到目前国际同类产品主要参数水平。