[00804649]双掺杂单畴热释电晶体ATGSAS
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技术详细介绍
该项目根据晶体结构和热释电效应原理，在硫酸三甘氨酸晶体中掺入适当成分的两种掺杂剂，形成新晶体ATGSAs，并探索出单面定向生长技术，生长出了掺杂均匀和单畴的晶体。该晶体的主要特点：室温下热释电系数高，介电常数低，介质损耗降低，热释电晶质因数提高；采用单面定向生长技术，生长的晶体掺杂均匀，单畴性好，内偏压场高，不退极化，使用时无需极化处理；机械性能好，加工不易碎裂，易加工成10μm的薄片。该晶体是 制造各类热释电红外探测器和摄像管靶面的关键材料，主要用于安全监视、防盗和防火报警、遥测温度、医学成像、激光监测、红外光谱等技术领域。