[00782500]利用调制的复合-维纳米材料制备单电子器件
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非专利
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技术详细介绍
纳电子学器件的研究是当今纳米科学技术最为重要的领域,而单电子器件由于其能耗小,无散热等优点而成为纳电子学器件的重要发展方向(K.Likharev,Proc.IEEE,80,60(1999).)。该发明属于纳电子学及纳电子器件领域,具体为利用调制的复合一维纳米材料构建单电子器件并提高其工作温度到室温或更高的思想和方法。通过在生长过程中控制地在一维纳米结构(纳米管)中引入势垒(可以用金属颗粒、成分改变、金属和绝缘体或非晶和晶体的转变、定位的电子或离子注入),可以改变纳米管的电学性质。用这种复合纳米材料制备出单电子器件。通过调节势力的间距,可以控制由此制备的单电子器件的工作温度达到室温或更高温。该发明用于纳电子学研究及单电子器件制备。该发明提供了一种简便可行的制备单电子器件的方法。不仅可使器件的工作温度提高到室温或者更高,而且该方法可以适用于实用化的生产。合作意向:联合开发或技术转让。
纳电子学器件的研究是当今纳米科学技术最为重要的领域,而单电子器件由于其能耗小,无散热等优点而成为纳电子学器件的重要发展方向(K.Likharev,Proc.IEEE,80,60(1999).)。该发明属于纳电子学及纳电子器件领域,具体为利用调制的复合一维纳米材料构建单电子器件并提高其工作温度到室温或更高的思想和方法。通过在生长过程中控制地在一维纳米结构(纳米管)中引入势垒(可以用金属颗粒、成分改变、金属和绝缘体或非晶和晶体的转变、定位的电子或离子注入),可以改变纳米管的电学性质。用这种复合纳米材料制备出单电子器件。通过调节势力的间距,可以控制由此制备的单电子器件的工作温度达到室温或更高温。该发明用于纳电子学研究及单电子器件制备。该发明提供了一种简便可行的制备单电子器件的方法。不仅可使器件的工作温度提高到室温或者更高,而且该方法可以适用于实用化的生产。合作意向:联合开发或技术转让。